（原标题：台积电先进工艺添盈聚富，限制赴美？）
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据台媒报道，台湾当局立已三读通过“产业创新条例修正案”，为避免关键技术外流，新规定投资于特定国家或地区、特定产业或技术或达“一定金额”以上须事前申请，经济部将配合修正子法，据了解，一定金额拟由目前十五亿元提高至卅亿元，朝宽松方向松绑；全案仍待协商。
此外，针对台积电宣布扩大赴美投资一千亿美元，外界担忧是否技术外流，行政院长卓荣泰表示将适用“N-1”。依目前规定，一般对外投资，半导体并无明文要“N-1”，但三读通过产创条例第廿二条，已明订若“影响安全”、或“对经济发展不利影响”，可不予核准对外投资。官员表示添盈聚富，可藉由此条文做为台积电赴美审查依据，落实“N-1”。也就是说，将藉由第廿二条要求台积电赴美投资落实“N-1”。
官员表示，根据新法，未来海外投资达“一定金额”以上、或是投资特定国家及地区、特定产业或技术，上述任何一项都要先申请，经过审查后才能放行。产创条例廿二条子法“公司海外投资处理办法”，目前仅规定公司从事海外投资之金额逾台币十五亿元者，应于事前申请。未来，子法将修正一定金额以上，并增订特定国家及地区、特定产业及技术等。
据了解，经济部初步构想是提高至台币卅亿元。据分析，当初明定十五亿元审查门槛，是依据央行规定法人每年结汇上限五千万美元而订定，而今央行已经提高至一亿美元，经济部拟参考央行结汇规定，修正“一定金额”以上为台币卅亿元，这对产业界来说将更宽松。
至于特定国家及地区，经济部规划是指遭联合国制裁的国家或地区，例如参照战略性高科技货品输出管制地区，主要是国际间管制战略性高科技货品出口国家，包括伊朗、伊拉克、北韩、苏丹、叙利亚、双俄等。
针对特定产业和技术条件，经济部初步想法，拟以国科会公布的国家核心关键技术为参考标准，截至目前，国科会公告过两波共卅二项国家核心关键技术，包括十四纳米以下制程的IC制造技术及其关键气体、化学品及设备、以及“毫米波氮化镓（GaN）功率放大器单晶微波集成电路之芯片设计技术”、“高频功率放大器之氮化镓半导体制造技术”等。
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